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二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析 期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 10, 页码: 7073-7077
Authors:  彭银生;  叶小玲;  徐波;  牛洁斌;  贾锐;  王占国;  梁松;  杨晓红
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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
Authors:  张曾;  张荣;  谢自力;  刘斌;  修向前;  李弋;  傅德颐;  陆海;  陈鹏;  韩平;  郑有炓;  汤晨光;  陈涌海;  王占国
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Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4930-4935
Authors:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究 期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 301-305
Authors:  朱天伟;  徐波;  何军;  赵凤瑷;  张春玲;  谢二庆;  刘峰奇;  王占国
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具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究 期刊论文
物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 8, 页码: 2087-2091
Authors:  朱天伟;  张元常;  徐波;  刘峰奇;  王占国
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分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究 期刊论文
物理学报, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 310-314
Authors:  卢励吾;  王占国;  Yang C L;  Wang J;  Ma Z H;  Sou I K;  Ge Weikun
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快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响 期刊论文
物理学报, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 367-371
Authors:  卢励吾;  张砚华;  徐遵图;  徐仲英;  王占国;  Wang J;  Ge Weikun
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离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响 期刊论文
物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324
Authors:  廖梅勇;  秦复光;  柴春林;  刘志凯;  杨少延;  姚振钰;  王占国
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掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究 期刊论文
物理学报, 2000, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 1386
Authors:  梁建军;  王永谦;  陈维德;  王占国;  常勇
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ZnO:Tb纳米晶的协同发光现象 期刊论文
物理学报, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2307
Authors:  刘舒曼;  刘峰奇;  张志华;  郭海清;  王占国
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