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无权访问的条目 学位论文
Authors:  王小青
Adobe PDF(5054Kb)  |  Favorite  |  View/Download:305/3  |  Submit date:2017/06/02
Intersubband Transition in GaN/InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文
Scientific Reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 11485
Authors:  G. Chen;  X.Q. Wang;  X. Rong;  P. Wang;  F.J. Xu;  N. Tang;  Z.X. Qin;  Y.H. Chen;  B. Shen
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二次退火制备I I I-V族半导体量子点 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 747-750
Authors:  肖虎;  孟宪权;  朱振华;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
Authors:  张曾;  张荣;  谢自力;  刘斌;  修向前;  李弋;  傅德颐;  陆海;  陈鹏;  韩平;  郑有炓;  汤晨光;  陈涌海;  王占国
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  王占国
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InP基多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列的结构和光学性质 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 309-313
Authors:  黄秀颀;  刘峰奇;  车晓玲;  刘俊岐;  雷文;  王占国
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固态量子信息研究若干新进展 期刊论文
中国科学基金, 2004, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 261-263
Authors:  李树深;  李新奇;  岑理相;  王亮;  艾合买提;  金光生;  白彦魁;  郑厚植
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硅基光子集成的器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-11-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  黄昌俊;  邓晓清;  成步文;  王红杰;  杨沁清;  余金中;  胡雄伟;  王启明
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适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 期刊论文
中国激光, 2003, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 53-56
Authors:  殷景志;  刘素萍;  刘宗顺;  王新强;  殷宗友;  李正庭;  杨树人;  杜国同
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