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Growth parametric study of N-polar InGaN films by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2016, 卷号: 91, 页码: 259-268
Authors:  Fan Yang;  Yuan-tao Zhang;  Xu Han;  Peng-chong Li;  Jun-yan Jiang;  Zhen Huang;  Jing-zhi Yin;  De-gang Zhao;  Bao-lin Zhang;  Guo-tong Du
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Interface engineering for highly efficient graphene-on-silicon Schottky junction solar cells by introducing a hexagonal boron nitride interlayer 期刊论文
Nano Energy, 2016, 卷号: 28, 页码: 44-50
Authors:  Jun-Hua Meng;  Xin Liu;  Xing-Wang Zhang;  Yue Zhang;  Hao-Lin Wang;  Zhi-Gang Yin;  Yong-Zhe Zhang;  Heng Liu;  Jing-Bi You;  Hui Yan
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适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 期刊论文
中国激光, 2003, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 53-56
Authors:  殷景志;  刘素萍;  刘宗顺;  王新强;  殷宗友;  李正庭;  杨树人;  杜国同
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增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  尹志岗;  张曙光;  张兴旺;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  张曙光;  张兴旺;  尹志岗;  董敬敬;  游经碧
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ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
Inventors:  施辉东;  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  刘鑫
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