改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法

	改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法; 改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法
	张曙光; 张兴旺; 尹志岗; 董敬敬; 游经碧
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	本发明公开了一种改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法,该方法是采用对n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管进行氢等离子体处理的方式,来改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能,具体包括如下步骤：使用掩膜将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管盖住,露出需要进行氢等离子体处理的ZnO部分；将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管送入电容耦合等离子体系统中进行氢等离子体处理；氢等离子体处理过程中器件的温度为T,射频功率为WH,处理时间为tH。利用本发明,改善了n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。
部门归属	中科院半导体材料科学重点实验室
专利号	CN102130229A
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN201010607413.8
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23490
专题	中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	张曙光,张兴旺,尹志岗,等. 改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法, 改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法. CN102130229A.

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