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硅表层硫系元素过饱和掺杂的光电特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
Authors:  胡少旭
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Optical and Electrical Properties of Single-Crystal Si Supersaturated with Se by Ion Implantation 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 097101
Authors:  Mao X (Mao Xue);  Han PD (Han Pei-De);  Hu SX (Hu Shao-Xu);  Gao LP (Gao Li-Peng);  Li XY (Li Xin-Yi);  Mi YH (Mi Yan-Hong);  Liang P (Liang Peng)
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Investigation on deep energy levels formed by sulphur implantation into silicon 期刊论文
Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals, 2012, 卷号: 41, 期号: SUPPL. 1, 页码: 372-375
Authors:  Gao, Li-Peng;  Han, Pei-De;  Mao, Xue;  Fan, Yu-Jie;  Hu, Shao-Xu
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一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  韩培德;  李辛毅;  毛雪;  胡少旭;  王帅;  范玉杰
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一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  李辛毅;  韩培德;  毛雪;  胡少旭;  王帅;  范玉杰
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一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  李辛毅;  韩培德;  毛雪;  胡少旭;  王帅;  范玉杰
Adobe PDF(307Kb)  |  Favorite  |  View/Download:748/193  |  Submit date:2012/09/09
硼铝共掺背面场硅太阳能电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
Inventors:  范玉杰;  韩培德;  梁鹏;  邢宇鹏;  叶舟;  胡少旭
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硅基近红外光电探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
Inventors:  胡少旭;  韩培德;  李辛毅;  毛雪;  高利朋
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