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基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  彭莉媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Y. Peng ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭长涛;  陈诺夫;  张富强;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭长涛;  陈诺夫;  林兰英;  柯俊
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ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究 成果
1996
主要完成人:  林兰英;  曹福;  白玉珂;  惠峰;  卜俊鹏
收藏  |  浏览/下载：1654/0  |  提交时间：2010/04/13
Si-gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  莫党;  谭健华;  陈宗圭;  杨小平;  张鹏华;  张伟;  陈良尧
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提高砷化镓材料质量的研究 成果
1985
主要完成人:  林兰英;  彭瑞伍;  林耀望;  莫培根;  方兆强
收藏  |  浏览/下载：1601/0  |  提交时间：2010/04/13
砷化镓材料  
一种图像传感器特性参数测量分析系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  秦琦;  吴南健;  冯鹏;  刘力源
Adobe PDF(2085Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1160/0  |  提交时间：2016/08/30