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| The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文
Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463
Authors: S.T. Liu ; J. Yang ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; F. Liang ; P. Chen ; J.J. Zhu ; Z.S. Liu ; W. Liu ; Y. Xing ; L.Y. Peng ; L.Q. Zhang ; W.J. Wang ; M. Li ; Y.T. Zhang ; G.T. Du
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| 铁磁／半导体异质结材料MnSb／Si的物理气相沉积生长 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 494-498
Authors: 彭长涛; 陈诺夫; 张富强; 林兰英
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| 非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 431
Authors: 彭长涛; 陈诺夫; 林兰英; 柯俊
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| ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究 成果
1996
Accomplishers: 林兰英; 曹福; 白玉珂; 惠峰; 卜俊鹏
Favorite | View/Download：707/0 | Submit date：2010/04/13
Si-gaas |
| 短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 730
Authors: 莫党; 谭健华; 陈宗圭; 杨小平; 张鹏华; 张伟 ; 陈良尧
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| 提高砷化镓材料质量的研究 成果
1985
Accomplishers: 林兰英; 彭瑞伍; 林耀望; 莫培根; 方兆强
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砷化镓材料 |
| 一种图像传感器特性参数测量分析系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors: 秦琦; 吴南健; 冯鹏; 刘力源
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