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采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  雷红兵;  王红杰;  胡雄伟;  邓晓清;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晓清;  杨沁清;  王红杰;  胡雄伟;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晓清;  杨沁清;  王红杰;  胡雄伟;  王启明
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