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MOCVD 生长 InAs/InP 自组织量子点材料及激光器应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
Authors:  罗帅
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A grating-coupled external cavity InAs_InP quantum dot laser with 85-nm tuning range 期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 094211
Authors:  Wei Heng, Jin Peng, Luo Shuai, Ji Hai-Ming, Yang Tao, Li Xin-Kun, Wu Jian, An Qi, Wu Yan-Hua, Chen Hong-Mei, Wang Fei-Fei, Wu Ju, Wang Zhan-Guo
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InAs_InGaAsP_InP Quantum Dot Lasers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文
Chinese Physics Letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 6
Authors:  LUO Shuai, JI Hai-Ming, GAO Feng, YANG Xiao-Guang, LIANG Ping, ZHAO Ling-Juan, YANG Tao
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Effect of growth temperature on surface morphology and structure of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2012, 卷号: 359, 页码: 55-59
Authors:  Li LG (Li, Li-Gong);  Liu SM (Liu, Shu-Man);  Luo S (Luo, Shuai);  Yang T (Yang, Tao);  Wang LJ (Wang, Li-Jun);  Liu JQ (Liu, Jun-Qi);  Liu FQ (Liu, Feng-Qi);  Ye XL (Ye, Xiao-Ling);  Xu B (Xu, Bo);  Wang ZG (Wang, Zhan-Guo)
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Metalorganic chemical vapor deposition growth of InAs/GaSb type II superlattices with controllable AsxSb1-x interfaces 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 160
Authors:  Li, Li-Gong;  Liu, Shu-Man;  Luo, Shuai;  Yang, Tao;  Wang, Li-Jun;  Liu, Feng-Qi;  Ye, Xiao-Ling;  Xu, Bo;  Wang, Zhan-Guo
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Effect of Interface Bond Type on the Structure of InAs/GaSb Superlattices Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 116802
Authors:  Li LG (Li Li-Gong);  Liu SM (Liu Shu-Man);  Luo S (Luo Shuai);  Yang T (Yang Tao);  Wang LJ (Wang Li-Jun);  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Xu B (Xu Bo);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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生长InP基InAs量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
Inventors:  季海铭;  罗帅;  杨涛
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制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
Inventors:  罗帅;  季海铭;  杨涛
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锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
Inventors:  季海铭;  罗帅;  杨涛
Adobe PDF(292Kb)  |  Favorite  |  View/Download：374/112  |  Submit date：2014/12/25
制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors:  杨涛;  高凤;  罗帅;  季海铭
Adobe PDF(531Kb)  |  Favorite  |  View/Download：192/29  |  Submit date：2016/09/28