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GaAs/InP的键合界面热应力分析 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2012, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 120-125
Authors:  于丽娟,晏磊
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锑化物超晶格红外探测器的研究进展 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2010, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 40864
Authors:  李彦波;  刘超;  张杨;  赵杰;  曾一平
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Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AIGaN的损伤研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 420-423
Authors:  陈亮;  亢勇;  赵德刚;  李向阳;  龚海梅
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量子点光电子器件及其研究进展 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 235-240
Authors:  彭英才;  Zhao Xinwei;  马蕾
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Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 479-482
Authors:  张永;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  康俊勇;  成步文;  王启明
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界面热应力对InP/Si键合质量的影响 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 172-175
Authors:  刘志强;  王良臣;  于丽娟;  郭金霞;  伊晓燕;  王立彬;  陈宇;  马龙
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基于RTD与CMOS的新型数字电路设计 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 295-299
Authors:  马龙;  王良臣;  黄应龙;  杨富华
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自组织量子点各向异性弹性应变场的数值分析 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 440-444
Authors:  杨红波;  俞重远;  刘玉敏;  封强;  郑世奇;  黄永箴
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GaAs基上的InAs量子环制备 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 432-435
Authors:  李凯;  叶小玲;  金鹏;  王占国
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Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-493
Authors:  尚也淳;  刘忠立;  孙国胜
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