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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang, ZL;  Su, FH;  Ma, BS;  Ding, K;  Han, HX;  Li, GH;  Sou, IK;  Ge, WK;  Fang, ZL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi GX;  Jin P;  Xu B;  Li CM;  Cui CX;  Wang YL;  Ye XL;  Wu J;  Wang ZG;  Shi, GX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gxshi@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Song SL;  Chen NF;  Zhou, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang, ZD;  Gong, Z;  Miao, ZH;  Kong, LM;  Xu, XH;  Ni, HQ;  Niu, ZC;  Fang, ZD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zdfang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang K;  Jiang DS;  Xia JB;  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, NLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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