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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
黄文军
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浏览/下载:697/54
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提交时间:2018/05/28
Inas/gasb二类超晶格
反转型量子阱结构
电子迁移率
异质结光电晶体管
双色
InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
沈桂英
Adobe PDF(4309Kb)
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浏览/下载:518/17
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提交时间:2018/06/04
Inas单晶
热退火
离子注入
缺陷复合体
杂质带电导
无权访问的条目
学位论文
作者:
王小耶
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提交时间:2015/05/27
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou HY
;
Qu SC
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Liu JP
;
Wang ZG
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qsc@semi.ac
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浏览/下载:1599/365
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou XL
;
Chen YH
;
Zhang HY
;
Zhou GY
;
Li TF
;
Liu JQ
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
Adobe PDF(1941Kb)
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浏览/下载:1621/395
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YB
;
Zhang Y
;
Zeng YP
;
Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. terahertzantenna@163.com
;
ypzeng@semi.ac.cn
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浏览/下载:1544/463
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YB (Li Yanbo)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li, YB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: nkybli@163.com
;
ypzeng@semi.ac.cn
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浏览/下载:1172/430
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提交时间:2010/10/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Kong DH (Kong D. H.)
;
Wang W (Wang W.)
;
Liang, S, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1041/313
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提交时间:2010/11/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou GY
;
Chen YH
;
Zhou XL
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
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浏览/下载:1182/353
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提交时间:2011/07/05