SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条,第1-2条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  郑柳;  董林;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2557/485  |  提交时间:2012/08/29
HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  董林;  郑柳;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2525/513  |  提交时间:2012/08/29