中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  闫俊达
Adobe PDF(5390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2843/67  |  提交时间：2017/06/05
氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管  
水汽探测用激光芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  于红艳;  周旭亮;  邵永波;  王宝军;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1352/184  |  提交时间：2012/09/09
量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  邵永波;  赵玲娟;  于红艳;  潘教青;  王宝军;  王圩
Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1242/219  |  提交时间：2012/09/09
利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1049/184  |  提交时间：2012/09/09
在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  桑玲;  王俊;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1519/250  |  提交时间：2012/09/09
一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  于红艳;  周旭亮;  邵永波;  王宝军;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1144/207  |  提交时间：2012/09/09
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1180/183  |  提交时间：2012/09/09
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1074/163  |  提交时间：2012/09/09
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1106/183  |  提交时间：2012/09/09