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| 相变存储器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华
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| 一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 一种高密度相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010139053.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 程凯芳; 王晓峰; 王晓东; 张加勇; 马慧莉; 杨富华
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| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李越强; 刘雯 ; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
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| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华
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| 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010283562.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 徐晓娜; 李越强; 王晓东; 杨富华
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| 一种纳米尺寸相变存储器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240934.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张加勇; 王晓峰; 田晓丽; 杨富华; 王晓东
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| 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240935.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张加勇; 王晓峰; 田晓丽; 杨富华; 王晓东
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| 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240931.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 田晓丽; 王晓峰; 张加勇; 杨富华; 王晓东
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| 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102433529A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 刘雯; 王晓东; 程凯芳; 马慧丽; 王晓峰; 徐锐; 杨富华
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