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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, W;  He, ZH;  Han, Q;  Wu, RH;  Xu, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Supperlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xiaohua_xu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang GQ;  Qi G;  Erkin;  Wu L;  Ren DY;  Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanggq@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, GQ;  Zou, Q;  Sun, P;  Mei, X;  Ruda, HE;  Zou, Q, Energenius Inc, 351 Steelcase Rd W 3, Markham, ON, Canada. 电子邮箱地址: qzou@energenius.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ni HQ;  Niu ZC;  Xu XH;  Xu YQ;  Zhang W;  Wei X;  Bian LF;  He ZH;  Han Q;  Wu RH;  Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Li, N;  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Fan, K;  Zheng, ZS;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Simox  Fluorine  Ionizing Radiation  
Influence of fluorine on radiation-induced charge trapping in the SIMOX buried oxides 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Li, N;  Zhen, ZS;  Liu, GH;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Fluorine  Simox  Charge Trapping  Radiation  Sio2  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao Xin;  Sun Guosheng;  Li Jinmin;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zhang Yongxin;  Zeng Yiping
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