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应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1740-1743
Authors:  陈涌海;  杨少延;  王占国
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低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2385-2389
Authors:  杨霏;  陈诺夫;  张兴旺;  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  侯哲哲;  马辉;  尹志刚
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室温铁磁性Al2O3∶Mn的制备及性质 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2390-2395
Authors:  张富强;  陈诺夫;  杨瑞霞;  魏怀鹏;  刘祥林;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 967-971
Authors:  陈力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 972-975
Authors:  李艳丽;  陈诺夫;  周剑平;  宋书林;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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离子束外延生长半导体性锰硅化合物 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 1429
Authors:  杨君玲;  陈诺夫;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  廖梅勇;  何宏家
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