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在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  焦春美;  于英仪;  赵凤瑗
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应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  赵凤瑗;  焦春美;  于英仪
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhai TY (Zhai Tianyou);  Zhang XZ (Zhang Xinzheng);  Yang WS (Yang Wensheng);  Ma Y (Ma Ying);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Gu ZJ (Gu Zhanjun);  Yu DP (Yu Dapeng);  Yang H (Yang Hui);  Yao JN (Yao Jiannian);  Yao, JN, Chinese Acad Sci, Inst Chem, Ctr Mol Sci, Key Lab Photochem, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: jnyao@iccas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Peng JY (Peng Ji-Ying);  Tan HM (Tan Hui-Ming);  Qian LS (Qian Long-Sheng);  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com;  chinawygxjw@163.com;  jiy@163.com;  ytan@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  杨富华;  王良臣;  余洪敏;  黄应龙
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