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在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  刘祥林;  焦春美;  于英仪;  赵凤瑗
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应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  刘祥林;  赵凤瑗;  焦春美;  于英仪
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利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1647-1651
Authors:  张春玲;  赵凤瑗;  徐波;  金鹏;  王占国
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