已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12 发明人: 鞠研玲; 杨晓红; 韩 勤 Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1586/299  |  提交时间:2010/08/12 |
| 在高低温工作条件下对光电器件进行测试的装置和方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 提刘旺; 杨晓红; 韩 勤 Adobe PDF(454Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2495/380  |  提交时间:2010/08/12 |
| 在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 杨晓红; 韩 勤; 提刘旺 Adobe PDF(383Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1575/268  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998 发明人: 李文兵; 韩 勤; 秦 龙; 杨晓红; 倪海乔; 杜 云; 朱 彬; 鞠研玲 Adobe PDF(670Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1432/234  |  提交时间:2010/03/19 |
| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中 Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1139/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中 Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1286/231  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang HL; Wu DH; Wu BP; Ni HQ; Huang SS; Xiong YH; Wang PF; Han Q; Niu ZC; Tangring I; Wang SM; Wang HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattice & Microstruct Beijing 10008 Peoples R China. E-mail Address: hlwang_19841220@163.com Adobe PDF(403Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:995/257  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 冉启江; 韩培德; 全宇军; 高利朋; 曾凡平; 赵春华 Adobe PDF(455Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1321/376  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 秦龙; 韩勤; 杨晓红; 朱彬; 鞠研玲 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1304/361  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 成步文; 薛春来; 罗丽萍; 韩根全; 曾玉刚; 薛海韵; 王启明 Adobe PDF(704Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1713/493  |  提交时间:2010/11/23 |