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利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  侯康平;  杨华;  梁松;  王圩
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用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  杨华;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun JY (Sun Jiayin);  Chen J (Chen Jing);  Wang X (Wang Xi);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Liu W (Liu Wei);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Yang H (Yang Hui);  Sun, JY, No 865,Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiayinsun@mail.sim.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan ZQ (Duan, Zhi-Qiang);  Wang RZ (Wang, Ru-Zhi);  Yuan RY (Yuan, Rui-Yang);  Yang W (Yang, Wei);  Wang B (Wang, Bo);  Yan H (Yan, Hui);  Wang, RZ, Beijing Univ Technol, Coll Mat Sci & Engn, Lab Thin Film Mat, Beijing 100022, Peoples R China. 电子邮箱地址: wrz@bjut.edu.cn;  hyan@bjut.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang PF (Zhang, P. F.);  Liu XL (Liu, X. L.);  Wei HY (Wei, H. Y.);  Fan HB (Fan, H. B.);  Liang ZM (Liang, Z. M.);  Jin P (Jin, P.);  Yang SY (Yang, S. Y.);  Jiao CM (Jiao, C. M.);  Zhu QS (Zhu, Q. S.);  Wang ZG (Wang, Z. G.);  Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang RQ (Zhang Riqing);  Zhang PF (Zhang Panfeng);  Kang TT (Kang Tingting);  Fan HB (Fan Haibo);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn;  xlliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan HB (Fan Hai-Bo);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhang PF (Zhang Pan-Feng);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Jiao CM (Jiao Chun-Mei);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn;  sh-yyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng YH (Zheng Yu-Hong);  Zhao JH (Zhao Jian-Hua);  Bi JF (Bi Jing-Feng);  Wang WZ (Wang Wei-Zhu);  Ji Y (Ji Yang);  Wu XG (Wu Xiao-Guang);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang H (Yang Hua);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Feng W (Feng Wen);  Xie HY (Xie Hong-Yun);  Zhou F (Zhou Fan);  An X (An Xin);  Bian J (Bian Jing);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Chen WX (Chen Wei-Xi);  Wang W (Wang Wei);  Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yanghua@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang SG (Yang Sigang);  Zhang YJ (Zhang Yejin);  Li JY (Li Jinyan);  Chen W (Chen Wei);  He LN (He Lina);  Xie SZ (Xie Shizhong);  Yang, SG, Tsing Hua Univ, Dept Elect Engn, Beijing 100084, Peoples R China. 电子邮箱地址: ysg03@mails.tsinghua.edu.cn;  yjzhang@semi.ac.cn;  ljy@fiberhome.com.cn;  chenwei@fiberhome.com.cn;  heln@mails.tsinghua.edu.cn;  xsz-dee@mail.tsinghua.edu.cn
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