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GaN基无创光子晶体LEDs-光提取机制和应用 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  杜成孝
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Gan  Led  光子晶体  光提取效率  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LC (Wang, Liancheng);  Zhang YY (Zhang, Yiyun);  Li X (Li, Xiao);  Liu ZQ (Liu, Zhiqiang);  Guo EQ (Guo, Enqing);  Yi XY (Yi, Xiaoyan);  Wang JX (Wang, Junxi);  Zhu HW (Zhu, Hongwei);  Wang GH (Wang, Guohong)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LC (Wang, Liancheng);  Zhang YY (Zhang, Yiyun);  Li X (Li, Xiao);  Liu ZQ (Liu, Zhiqiang);  Guo EQ (Guo, Enqing);  Yi XY (Yi, Xiaoyan);  Wang JX (Wang, Junxi);  Zhu HW (Zhu, Hongwei);  Wang GH (Wang, Guohong)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨其长;  徐志刚;  陈弘达;  泮进明;  魏灵玲;  刘文科;  周泓;  刘晓英;  宋昌斌
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1876/730  |  提交时间：2012/07/17
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1486/264  |  提交时间：2011/08/31
透明电极GaN基LED结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081994.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨华;  王晓峰;  阮军;  王国宏;  曾一平
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全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1520/288  |  提交时间：2011/08/31
采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113816.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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