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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [2]
作者
杨涛 [1]
马文全 [1]
文献类型
会议论文 [2]
发表日期
2009 [2]
语种
英语 [2]
出处
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文献类型:会议论文
发表日期:2009
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Large-Signal Performance of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot lasers
会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:
Ji
;
HM
;
Cao
;
YL
;
Xu PF
;
Gu YX
;
Ma WQ
;
Liu Y
;
Wang X
;
Xie L
;
Yang T
;
Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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浏览/下载:1747/471
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提交时间:2010/06/04
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)
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浏览/下载:1646/274
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic