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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
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Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kangkang Meng;  Jiaxing Xiao;  Yong Wu;  Jun Miao;  Xiaoguang Xu;  Jianhua Zhao;  Yong Jiang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kangkang Meng;  Jun Miao;  Xiaoguang Xu;  Yong Wu;  Jiaxing Xiao;  Jianhua Zhao;  Yong Jiang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhicheng Wang;  Dong Pan;  Le Wang;  Tingwen Wang;  Bing Zhao;  Yong Wu;  Ming Yang;  Xiaoguang Xu;  Jun Miao;  Jianhua Zhao;  Yong Jiang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Haifeng Hu;  Xie Zeng;  Yong Zhao;  Jin Li;  Haomin Song;  Guofeng Song;  Yun Xu;  Qiaoqiang Gan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Li;  Yong Liu;  Qingquan Wei;  Yuanjie Liu;  Wenwen Liu;  Xuelian Zhang;  Yude Yu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jie Su;  Tong Liu;  Jing-Ming Liu;  Jun Yang;  Yong-Biao Bai;  Gui-Ying Shen;  Zhi-Yuan Dong;  Fang-Fang Wang;  You-Wen Zhao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan Mi;  Liaoyong Wen;  Zhijie Wang;  Dawei Cao;  Huaping Zhao;  Yilong Zhou;  Fabian Grote;  Yong Lei
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