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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XX;  Zeng, YP;  Wang, XG;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Zhang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XX;  Zeng YP;  Qiu ZJ;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Zhang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxzhang@red.semi.ac.cn
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