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一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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低温晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:  彭红玲;  陈良惠;  郑婉华;  石 岩;  渠红伟;  杨国华;  何国荣
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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TiO2纳米材料的电子结构和半导体材料的铁磁性 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  彭浩为
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng HW;  Li JB;  Li SS;  Xia JB;  Peng HW Chinese Acad Sci State Key Lab Superlattices & Microstruct Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
Adobe PDF(224Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1617/632  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng HW;  Xiang HJ;  Wei SH;  Li SS;  Xia JB;  Li JB;  Peng HW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: Suhuai_Wei@nrel.gov;  jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai YQ(盖艳琴);  Peng HW(彭浩为);  Li JB(李京波);  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, HW;  Li, JB;  Li, SS;  Xia, JB;  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
Adobe PDF(759Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1422/619  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, HW;  Li, JB;  Li, SS;  Xia, JB;  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
Adobe PDF(2042Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2511/1153  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng HW;  Li JB;  Li JB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(1543Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1584/643  |  提交时间:2010/03/08