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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ai B; Shen H; Liang ZC; Chen Z; Kong GL; Liao XB; Ai, B, Sun Yat Sen Univ, Energy Engn Acad, Inst Solar Energy Syst, Ghangzhou 510275, Peoples R China. E-mail: stsab@zsu.edu.cn; shenhui11956@163.com Adobe PDF(231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2061/794  |  提交时间:2010/04/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Shen XM; Zhao DG; Liu ZS; Hu ZF; Yang H; Liang JW; Shen, XM, Tongji Univ, Inst Semicond & Informat Technol, 1239 Siping Rd, Shanghai 200092, Peoples R China. 电子邮箱地址: xmshen@mail.tongji.edu.cn Adobe PDF(914Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:806/112  |  提交时间:2010/03/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Bin A; Shen H; Ban Q; Liang ZC; Chen RL; Shi ZR; Liao XB; Bin, A, SUN YAT SEN Univ, Energy Engn Acad, Inst Solar Energy Syst, Guangzhou 510275, Peoples R China. 电子邮箱地址: aibin@ms.giec.ac.cn; shenhuil956@163.com Adobe PDF(235Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1530/541  |  提交时间:2010/03/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Shen Xiaoming; Wang Yutian; Wang Jianfeng; Liu Jianping; Zhang Jicai; Guo Liping; Jia Quanjie; Jiang Xiaoming; Hu Zhengfei; Yang Hui; Liang Junwu Adobe PDF(634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1240/332  |  提交时间:2010/11/23 |
| 垂直腔面发射激光器的光收发一体模块 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 申荣铉; 毛陆虹; 吴荣汉; 杜云; 唐君; 梁琨 Adobe PDF(318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1004/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ai B; Shen H; Ban Q; Wang XJ; Liang ZC; Liao XB; Ai, B, Chinese Acad Sci, Solar Energy Lab, Guangzhou Inst Energy Convers, Guangzhou 510640, Peoples R China. 电子邮箱地址: aibin@ms.giec.ac.cn Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1161/332  |  提交时间:2010/03/09 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 艾斌; 沈辉; 班群; 梁宗存; 陈如龙; 施正荣; 廖显伯 Adobe PDF(730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1205/362  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 李树深; 李新奇; 岑理相; 王亮; 艾合买提; 金光生; 白彦魁; 郑厚植 Adobe PDF(206Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1143/284  |  提交时间:2010/11/23 |
| Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask 会议论文 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003 作者: Feng G; Shen XM; Zhu JJ; Zhang BS; Yang H; Liang JW; Feng G Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. Adobe PDF(92Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1248/308  |  提交时间:2010/10/29 Buffer Layer Substrate Diodes Growth |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Feng G; Zhu JJ; Shen XM; Zhang BS; Zhao DG; Wang YT; Yang H; Liang JW; Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. Adobe PDF(184Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1134/441  |  提交时间:2010/08/12 |