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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang XW (Jiang Xiang-Wei);  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li SS (Li Shu-Shen);  Luo JW (Luo Jun-Wei);  Wang LW (Wang Lin-Wang);  Jiang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwjiang@semi.ac.cn
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