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检测键合质量的红外透视成像装置及调节方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  何国荣;  郑婉华;  杨国华;  石岩;  渠红伟;  宋国锋;  陈良惠
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长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  何国荣;  渠红伟;  郑婉华;  杨国华;  宋国锋;  陈良惠
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二维纳米结构深刻蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马小涛;  郑婉华;  杨国华;  任刚;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu GH;  Chen YH;  Liu Y;  Jia CH;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su FH;  Chen W;  Ding, K;  Li GH;  Chen, W, Univ Texas Arlington, Dept Phys, POB 19059, Arlington, TX 76019 USA. 电子邮箱地址: weichen@uta.edu;  ghli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He GR;  Zheng WH;  Qu HW;  Yang GH;  Wang Q;  Cao YL;  Chen LH;  He, GR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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The effects of sapphire substrates processes to the LED efficiency - art. no. 68410M 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Yang, H;  Chen, Y;  Wang, LB;  Yi, XY;  Fan, JM;  Liu, ZQ;  Yang, FH;  Wang, LC;  Wang, GH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan-based Led  Grinding  Ray Tracing  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu GH;  Chen YH;  Jia CH;  Wang ZG;  Liu GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia CH;  Chen YH;  Liu GH;  Liu XL;  Yang SY;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖雪芳;  杨国华;  归强;  王国宏;  马晓宇;  陈朝;  陈良惠
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