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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张连; 魏学成; 路坤熠; 魏同波; 王军喜; 李晋闽
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 程滟
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| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕 ; 王国宏
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| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马平; 王军喜; 魏学成; 曾一平; 李晋闽
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| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06
发明人: 程滟; 汪炼成; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人: 程滟; 汪炼成; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
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| 垂直阵列纳米柱LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
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