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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237094.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张伟;  王利军;  刘俊岐;  李路;  张全德;  陆全勇;  高瑜;  刘峰奇;  王占国
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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  宋维;  张兴旺;  高红丽;  尹志岗
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材料的微区应力测试系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  高寒松;  陈涌海;  刘雨;  张宏毅;  黄威;  朱来攀;  李远;  邬庆
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