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低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  陈诺夫;  王占国
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一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  杨笛
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单光子探测装置的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘伟;  杨富华;  曾宇昕;  郑厚植
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磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨霏;  尹志岗;  柴春林;  吴金良
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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  尹志岗;  杨霏;  陈诺夫;  吴金良;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin ZG;  Chen NF;  Yang F;  Song SL;  Chai CL;  Zhong J;  Qian HJ;  Ibrahim K;  Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang D;  Li YP;  Sun F;  Chen SW;  Yu JH;  Yang, D, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yangdi@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YP;  Yang D;  Sun F;  Chen SW;  Yu JZ;  Li, YP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liyp@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(263Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：787/261  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu LF;  Chen NF;  Song SL;  Yin ZG;  Yang F;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Liu, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lfliu@red.semi.ac.cn
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