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| 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng WL; Li ZW; Wang XF; Zheng WL Chengde Teachers Coll Nationalities Dept Phys Chengde 067000 Peoples R China. E-mail Address: zhengwenliheda@126.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴燕; 黄胜利; 朱贤方; 李论雄; 王占国; 王连洲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郑文礼; 李志文; 王雪峰
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| 高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 段垚; 崔军朋; 曾一平
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| 耦合双量子点中杂质态体系的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 王雪峰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 孟焘; 李论雄; 王占国; 朱贤方
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖雪芳; 杨国华; 归强; 王国宏; 马晓宇; 陈朝; 陈良惠
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