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湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平;  孙国胜;  黄风义;  王雷;  赵万顺
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制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平;  黄风义;  王保强;  朱占平
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中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang FY;  Wang XF;  Sun GS;  Zhao WS;  Zeng YP;  Bian EL;  Huang, FY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, 35 E Qinghua Rd, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fyhuang@seu.edu.cn
Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1008/258  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu XF;  Wang ZG;  Zhu, XF, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Low Dimens Nanostruct, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: xianfangzhu@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu XF;  Wang ZG;  Zhu, XF, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Low Dimens Nanostruct, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: xianfangzhu@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JM;  Chong M;  Yang LQ;  Xu JD;  Duan XF;  Gao M;  Wang FL;  Liu HT;  Bian L;  Chi X;  Zhai YH;  Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jml@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng T;  Zhu XF;  Wang ZG;  Meng, T, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Low Dimens Nanostruct, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail: mtao@sina.com
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GaAs 光阴极材料及SiC/SOI 材料的生长与性能的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  王晓峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孟焘;  朱贤方;  王占国
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