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0.8um 部分耗尽CMOS SOI 64K 静态存储器的设计与研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  姜凡
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ren F;  Jiang CZ;  Chen HB;  Shi Y;  Liu C;  Wang JB;  Jiang, CZ, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: czjiang@whu.edu.cn
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A simulation model of body contact structure in PD SOI analogue circuit 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Jiang, F;  Liu, ZL;  Jiang, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Pid Soi Technology  Body Contact  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  边历锋;  江德生;  陆书龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  江鹏飞;  张静娟;  赵伟瑞;  谢福增
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  江鹏飞;  赵伟瑞;  张静娟;  谢福增
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姜凡;  刘忠立
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗谦;  杨谟华;  杜江锋;  梅丁蕾;  王良臣;  白云霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曾华林;  江鹏飞;  谢福增
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