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一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型 期刊论文
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 138-141
Authors:  姜凡;  尹雪松;  刘忠立
Adobe PDF(199Kb)  |  Favorite  |  View/Download:672/205  |  Submit date:2010/11/23
部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究 期刊论文
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 297-300
Authors:  姜凡;  刘忠立
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部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究 期刊论文
半导体技术, 2005, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 54-57
Authors:  尹雪松;  姜凡;  刘忠立
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0.8um 部分耗尽CMOS SOI 64K 静态存储器的设计与研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
Authors:  姜凡
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SOI集成电路的ESD保护技术研究进展 期刊论文
微电子学, 2004, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 497-500,513
Authors:  姜凡;  刘忠立
Adobe PDF(341Kb)  |  Favorite  |  View/Download:698/221  |  Submit date:2010/11/23