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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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文献类型:专利
专题:半导体集成技术工程研究中心
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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期刊影响因子降序
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:
杜彦东
;
韩伟华
;
颜伟
;
张严波
;
杨富华
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浏览/下载:1698/383
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提交时间:2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:
颜伟
;
杜彦东
;
韩伟华
;
杨富华
Adobe PDF(370Kb)
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浏览/下载:1288/336
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提交时间:2012/09/07
氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人:
彭文博
;
曾湘波
;
刘石勇
;
姚文杰
;
谢小兵
;
肖海波
;
杨萍
;
王超
;
俞育德
Adobe PDF(429Kb)
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浏览/下载:1298/250
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提交时间:2012/09/07
半导体晶体管结构及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:
张严波
;
韩伟华
;
杜彦东
;
李小明
;
陈艳坤
;
杨香
;
杨富华
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浏览/下载:1417/342
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提交时间:2012/09/07
硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:
韩伟华
;
陈燕坤
;
李小明
;
张严波
;
杜彦东
;
杨富华
Adobe PDF(547Kb)
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浏览/下载:1406/343
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提交时间:2012/09/07
一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
发明人:
李小明
;
韩伟华
;
张严波
;
颜伟
;
杜彦东
;
陈燕坤
;
杨富华
Adobe PDF(1354Kb)
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浏览/下载:840/91
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提交时间:2014/10/24