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依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨香;  韩伟华;  王颖;  张杨;  杨富华
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基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  韩伟华;  熊莹;  赵凯;  杨香;  张严波;  王颖;  杨富华
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一种无结晶体管的电阻测试方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  王昊;  韩伟华;  马刘红;  杨富华
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硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人:  韩伟华;  王昊;  马刘红;  洪文婷;  杨晓光;  杨涛;  杨富华
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硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:  韩伟华;  杨晓光;  杨涛;  王昊;  洪文婷;  杨富华
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一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-10
发明人:  杨添舒;  刘雯;  时彦朋;  马静;  张端;  郑婉华;  王晓东;  杨富华
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基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王昊;  韩伟华;  杨富华
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