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| 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李艳; 杨富华; 唐龙娟; 朱银芳 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1725/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1531/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 具有复位功能的静态随机存储单元 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201110004548.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 吴利华; 韩小炜; 赵凯; 于芳 Adobe PDF(733Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1102/86  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(1181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1195/79  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种高密度相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010139053.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 程凯芳; 王晓峰; 王晓东; 张加勇; 马慧莉; 杨富华 Adobe PDF(448Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1186/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 李迪; 贾利芳; 何志; 樊中朝; 杨富华 Adobe PDF(982Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:532/2  |  提交时间:2016/09/12 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:610/5  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:582/5  |  提交时间:2016/08/30 |