SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
具有复位功能的静态随机存储单元; 具有复位功能的静态随机存储单元
吴利华; 韩小炜; 赵凯; 于芳
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种具有复位功能的静态随机存储单元,其包括:一第一反相器,其包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管;一第二反相器,其包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管;该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入端相连,该第二反相器的输出端与该第一反相器的输入端相连,由此构成交叉耦合的锁存器,该锁存器连接在正电源电压和电源地之间;一存取NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极与字线连接,其源极与位线连接;一复位上拉PMOS晶体管,其漏极与第二反相器的输出端相连,其栅极连接置数控制线,源极连接正电源电压;一复位下拉NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极连接清零控制线,源极连接电源地。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
专利号CN201110004548.X
语种中文
专利状态公开
申请号CN201110004548.X
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22337
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
吴利华,韩小炜,赵凯,等. 具有复位功能的静态随机存储单元, 具有复位功能的静态随机存储单元. CN201110004548.X.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
具有复位功能的静态随机存储单元.pdf(733KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[吴利华]的文章
[韩小炜]的文章
[赵凯]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[吴利华]的文章
[韩小炜]的文章
[赵凯]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[吴利华]的文章
[韩小炜]的文章
[赵凯]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。