|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩
 Adobe PDF(927Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1341/190 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩
Adobe PDF(1606Kb) | 收藏 | 浏览/下载：494/7 | 提交时间：2016/08/30 |
| 基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩
Adobe PDF(739Kb) | 收藏 | 浏览/下载：506/3 | 提交时间：2016/09/12 |
| 可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人: 余力强; 梁松; 赵玲娟; 张灿; 吉晨
Adobe PDF(494Kb) | 收藏 | 浏览/下载：787/121 | 提交时间：2014/12/25 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
Adobe PDF(391Kb) | 收藏 | 浏览/下载：906/98 | 提交时间：2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(822Kb) | 收藏 | 浏览/下载：857/85 | 提交时间：2014/10/29 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(1880Kb) | 收藏 | 浏览/下载：763/33 | 提交时间：2014/10/28 |
| 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 梁松; 张灿; 于立强; 赵玲娟; 朱洪亮; 吉晨; 王圩
Adobe PDF(383Kb) | 收藏 | 浏览/下载：609/88 | 提交时间：2014/11/05 |
| 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 张冶金; 渠红伟; 王海玲; 马绍栋; 郑婉华
Adobe PDF(609Kb) | 收藏 | 浏览/下载：594/75 | 提交时间：2014/10/28 |
| 同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 周文飞; 徐波; 叶小玲; 张世著; 王占国
Adobe PDF(1356Kb) | 收藏 | 浏览/下载：743/65 | 提交时间：2014/10/31 |
