|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人: 谢小兵; 曾湘波; 杨萍; 李洁; 李敬彦; 张晓东; 王启明
 Adobe PDF(752Kb) |  收藏 | 浏览/下载：657/87 | 提交时间：2014/10/24 |
| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
Adobe PDF(785Kb) | 收藏 | 浏览/下载：710/72 | 提交时间：2014/12/25 |
| 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(325Kb) | 收藏 | 浏览/下载：628/85 | 提交时间：2014/12/25 |
| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
Adobe PDF(488Kb) | 收藏 | 浏览/下载：690/93 | 提交时间：2014/11/17 |
| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
Adobe PDF(431Kb) | 收藏 | 浏览/下载：716/84 | 提交时间：2014/12/25 |
| 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(532Kb) | 收藏 | 浏览/下载：605/62 | 提交时间：2014/11/17 |
| 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(611Kb) | 收藏 | 浏览/下载：556/58 | 提交时间：2014/12/25 |
| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
Adobe PDF(491Kb) | 收藏 | 浏览/下载：731/83 | 提交时间：2014/11/24 |
| 一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(388Kb) | 收藏 | 浏览/下载：792/85 | 提交时间：2014/11/24 |
| 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
Adobe PDF(492Kb) | 收藏 | 浏览/下载：631/84 | 提交时间：2014/11/24 |
