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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012 发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1509/287  |  提交时间:2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010 发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1445/257  |  提交时间:2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明 Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1263/349  |  提交时间:2010/11/23 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1258/190  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1273/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1158/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明 Adobe PDF(728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1276/412  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Lin GJ (Gui-Jiang, Lin); Zhou ZW (Zhou Zhi-Wen); Lai HK (Lai Hong-Kai); Li C (Li Cheng); Chen SY (Chen Song-Yan); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Lin, GJ, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn Adobe PDF(226Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:859/267  |  提交时间:2010/03/29 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郝瑞亭; 徐应强; 周志强; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1035/308  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 崔增文; 韩建忠; 何山虎; 陈弘达; 孙增辉; 高鹏; 周毅 Adobe PDF(288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1082/257  |  提交时间:2010/11/23 |