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DFB激光器反馈特性建模与高性能DBR光源研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  杨秋露
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  叶楠;  姜震宇;  刘扬;  赵玲娟;  王圩
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ZnMgO合金材料的MOCVD生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  杨安丽
Adobe PDF(4610Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1313/85  |  提交时间:2010/04/07
Znmgo  Mocvd  纳米结构  异质结  价带差  
ⅠB 族元素掺杂ZnO 薄膜的制备及其物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  杨晓丽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘扬;  潘教青;  王宝军;  边静;  安欣;  赵玲娟
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掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  宋华平;  杨安丽;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1404/243  |  提交时间:2011/08/31
电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  汪洋;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564545.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘扬;  赵玲娟;  朱洪亮;  潘教青;  王圩
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生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王振华;  刘祥林;  杨少延;  杨安丽
Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1309/223  |  提交时间:2011/08/31