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| DFB激光器反馈特性建模与高性能DBR光源研究 学位论文 工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 杨秋露 Adobe PDF(9359Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:275/15  |  提交时间:2023/07/03 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 叶楠; 姜震宇; 刘扬; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(498Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1574/571  |  提交时间:2012/07/17 |
| ZnMgO合金材料的MOCVD生长及物性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2010 作者: 杨安丽 Adobe PDF(4610Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1313/85  |  提交时间:2010/04/07 Znmgo Mocvd 纳米结构 异质结 价带差 |
| ⅠB 族元素掺杂ZnO 薄膜的制备及其物性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2010 作者: 杨晓丽 Adobe PDF(2445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:893/41  |  提交时间:2010/07/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘扬; 潘教青; 王宝军; 边静; 安欣; 赵玲娟 Adobe PDF(318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1112/284  |  提交时间:2011/08/16 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1404/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪洋; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(463Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1119/208  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1240/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010564545.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘扬; 赵玲娟; 朱洪亮; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(598Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1313/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽 Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1309/223  |  提交时间:2011/08/31 |