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| 探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 谭平恒 ; 徐仲英; 罗向东; 葛惟昆
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| 氧化锌基的蓝光发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张攀峰; 丛伟光; 魏鸿源; 刘祥林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bao ZH (Bao Zhi-Hua); Jing WP (Jing Wei-Ping); Luo XD (Luo Xiang-Dong); Tan PH (Tan Ping-Heng); Bao, ZH, Nantong Univ, Jiangsu Prov Key Lab ASIC Design, Nantong 226007, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoxd00@yahoo.com.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu Y (Xu Ying); Diao HW (Diao Hong-Wei); Zhang SB (Zhang Shi-Bin); Li XD (Li Xu-Dong); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Wang WJ (Wang Wen-Jing); Liao XB (Liao Xian-Bo); Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 包志华; 景为平; 罗向东; 谭平恒
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许颖; 刁宏伟; 张世斌; 励旭东; 曾湘波; 王文静; 廖显伯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡卫国; 魏鸿源; 焦春美; 康亭亭; 张日清; 刘祥林
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