探测半导体能带结构高阶临界点的新方法
谭平恒; 徐仲英; 罗向东; 葛惟昆
2007-07-11
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2005-12-28
语种中文
申请号200510130769
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3783
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
谭平恒,徐仲英,罗向东,等. 探测半导体能带结构高阶临界点的新方法[P]. 2007-07-11.
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