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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM; Cheng, BW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. cbw@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈贵锋; 谭小动 ; 万尾甜; 沈俊; 郝秋艳; 唐成春; 朱建军; 刘宗顺; 赵德刚; 张书明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 于晓刚; 苗长云; 李鸿强; 陈弘达; 习江涛; 杨海静; 张诚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭剑川; 左玉华; 张云; 张岭梓; 成步文; 王启明
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| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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