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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1708/296  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang XY (Chang Xiu-Ying);  Dou XM (Dou Xiu-Ming);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：856/209  |  提交时间：2010/07/05