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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Zhao DG;  Jiang DS;  Yang H;  Liang JW;  Jahn U;  Ploog K;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: WXL@mail.semi.ac.cn
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Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Zhao DG;  Wang YT;  Sun XL;  Wu RH;  Xu DP Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond Beijing 100864 Peoples R China.
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Cubic Gan  Buffer Layer  Atomic Force Microscopy  Reflection High-energy Electron Diffraction  Movpe  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Zhao DG;  Wang YT;  Sun XL;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Inst Semicond,Beijing 100864,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun XL;  Yang H;  Wang YT;  Zheng LX;  Xu DP;  Zhao DG;  Li SF;  Wang ZG;  Sun XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李顺峰;  杨辉;  徐大鹏;  赵德刚;  孙小玲;  王玉田;  张书明
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