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| 微区反射（透射）差分光谱的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 高寒松
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song HP (Song H. P.); Zheng GL (Zheng G. L.); Yang AL (Yang A. L.); Guo Y (Guo Y.); Wei HY (Wei H. Y.); Li CM (Li C. M.); Yang SY (Yang S. Y.); Liu XL (Liu X. L.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Wang ZG (Wang Z. G.); Song, HP, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songhp@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 彭银生 ; 叶小玲; 徐波; 牛洁斌; 贾锐; 王占国; 梁松; 杨晓红
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国
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| 光弹调制测量系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 张宏毅; 陈涌海; 高寒松
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| 半导体材料微区应力测试系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 高寒松; 陈涌海; 张宏毅; 刘雨
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| 一种测量半导体材料弹光系数的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 武树杰; 陈涌海; 刘雨; 高寒松; 俞金玲
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