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Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3c-SiC/Si(111) substrates using a thick AIN buffer layer 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Gao, X;  Li, JM;  Sun, GS;  Zhang, NH;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Gao, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Si(111)  Aln  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张胜利;  孙建伟;  刘宇;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙建伟;  张胜利;  王幼林;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张胜利;  刘宇;  孙建伟;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄辉;  王兴妍;  王琦;  黄永清;  任晓敏;  高俊华;  张胜利;  刘宇;  祝宁华;  马骁宇;  杨晓红;  吴荣汉
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